3-D结构晶体管首次问世

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3-D结构的晶体管首次问世，三栅极（Tri-Gate）3-D晶体管设计成功实现了22纳米制程技术的突破。
　　

3-D结构晶体管首次问世

     5月4日，英特尔公司宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破——3-D结构的晶体管首次问世，三栅极（Tri-Gate）3-D晶体管设计成功实现了22纳米制程技术的突破。

     在三栅极3-D晶体管中，传统的2-D平面栅极被从硅基体垂直竖起的3-D硅鳍状物所代替。鳍状物的每一面都安装了一个栅极，而不是像2-D平面晶体管那样，只在顶部有一个栅极。更多的控制可以使晶体管在“开”的状态下让尽可能多的电流通过，而在“关”的状态下尽可能让电流接近零，同时还能在两种状态之间迅速切换。据悉，与之前的32纳米平面晶体管相比，22纳米三栅极3-D晶体管在低电压下可将性能提高37%，在相同性能的情况下电量消耗将减少50%，而其造价仅提高2%~3%。这一惊人的改进意味着它们将是小型手持设备的理想选择。

     对于这项成果，英特尔创始人之一、摩尔定律的提出者戈登•摩尔的评价是：“在多年的探索中，我们已经看到晶体管尺寸缩小所面临的极限。今天这种在基本结构层面上的改变，是一种真正革命性的突破，它能够让摩尔定律以及创新的历史步伐继续保持活力。”